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SKI07171 发布时间 时间:2025/12/26 20:45:24 查看 阅读:9

SKI07171是一款由Skyworks Solutions, Inc.生产的高性能射频前端模块(RF Front-End Module, FEM),专为无线通信系统设计,广泛应用于Wi-Fi、物联网(IoT)、智能家居和工业无线网络等领域。该器件集成了功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)以及射频开关功能,支持高效率的发射路径与高灵敏度的接收路径,从而优化整体射频性能。其紧凑的封装形式和高度集成化的设计使其成为空间受限型应用的理想选择。
  该模块通常工作在2.4 GHz ISM频段,兼容IEEE 802.11b/g/n等无线标准,能够提供优异的输出功率和接收增益。同时,SKI07171内置了偏置控制电路和匹配网络,减少了外部元件数量,简化了PCB布局设计,并有助于加快产品上市时间。由于采用先进的半导体工艺制造,该芯片具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合在复杂电磁环境和宽温度范围内稳定运行。

参数

型号:SKI07171
  制造商:Skyworks
  工作频率:2.4 GHz 至 2.5 GHz
  供电电压:3.3 V 典型值
  发射输出功率:+20 dBm 典型值
  接收增益:14 dB 典型值(LNA模式)
  噪声系数:1.8 dB 典型值
  集成功能:功率放大器(PA)、低噪声放大器(LNA)、射频开关
  封装类型:WLCSP 或类似小型化封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  调制兼容性:802.11b/g/n, CCK, OFDM
  ESD 耐压:HBM > 2 kV

特性

SKI07171作为一款高度集成的射频前端模块,在性能与集成度方面表现出色。其核心优势之一是将多个关键射频功能整合于单一芯片中,包括高线性度的功率放大器、低噪声放大器以及单刀双掷(SPDT)射频开关。这种三合一架构不仅显著减小了整体解决方案的尺寸,还通过内部阻抗匹配降低了设计复杂性,使得客户无需进行繁琐的外部匹配调试即可实现高效能射频链路。
  该器件的功率放大器部分能够在3.3V供电下提供高达+20dBm的饱和输出功率,并保持较高的功率附加效率(PAE),这有助于延长电池供电设备的工作时间,尤其适用于对功耗敏感的应用场景如无线传感器节点或便携式IoT终端。此外,其良好的ACLR(邻道泄漏比)表现确保了在OFDM调制信号下的高质量传输,满足现代Wi-Fi协议对频谱纯净度的要求。
  LNA部分具有14dB左右的标称增益和低于2dB的噪声系数,极大提升了接收机的灵敏度,使系统能够在弱信号环境下依然保持稳定的连接能力。片内集成的射频开关具有低插入损耗和高隔离度的特点,可在发射与接收模式之间快速切换,支持TDD操作模式,进一步增强了系统的灵活性。
  SKI07171采用先进的GaAs或SiGe工艺制造,具备出色的温度稳定性与抗干扰能力。其小型化的晶圆级封装(WLCSP)非常适合高密度贴装,便于实现自动化生产。同时,该器件符合RoHS环保标准,无卤素,适用于全球范围内的消费类电子产品制造。整体而言,SKI07171凭借其高集成度、优异的射频性能和可靠的制造工艺,成为中高端无线连接应用中的优选方案之一。

应用

SKI07171主要应用于需要高性能2.4GHz射频连接的各类电子设备中。典型使用场景包括家庭和企业级Wi-Fi路由器、无线接入点(AP)、网关以及智能网卡等网络基础设施设备。由于其高输出功率和良好接收灵敏度,该芯片可有效提升无线覆盖范围和数据吞吐量,改善多用户并发连接时的网络体验。
  在物联网领域,SKI07171被广泛用于智能家居产品,如智能音箱、智能照明控制系统、安防摄像头、温控器及门锁等,这些设备通常依赖稳定的Wi-Fi连接实现远程控制与云同步。该模块的小尺寸特性特别适合空间受限的嵌入式设计,帮助工程师在有限PCB面积内实现完整的无线功能。
  此外,工业无线通信系统也是其重要应用方向,例如无线监控终端、远程数据采集模块、工业HMI(人机界面)设备等。在这些环境中,电磁干扰较强且工作温度变化大,SKI07171展现出良好的鲁棒性和长期运行稳定性。
  该芯片还可用于无线音频传输设备、USB Wi-Fi适配器、医疗监测仪器以及其他需嵌入Wi-Fi功能的消费类电子产品。由于支持主流的802.11协议族,易于与常见的Wi-Fi基带处理器或SoC平台对接,因此具备较强的系统兼容性和开发便利性,适用于从原型验证到大规模量产的全流程需求。

替代型号

SKY66112-11
  AP6212A
  RTL8723BS

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SKI07171参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)75 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)46A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)13.6 毫欧 @ 22.8A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 650μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)36.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2520 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)90W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-263
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB