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AON2802 发布时间 时间:2025/8/2 7:16:25 查看 阅读:33

AON2802是一款由Alpha and Omega Semiconductor(简称AOS)制造的高性能N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高功率密度的应用,例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。该MOSFET采用先进的封装技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,使其在高电流应用中表现出色。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):120A(在Tc=25°C)
  导通电阻(Rds(on)):5.2mΩ(最大值,Vgs=10V时)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:PowerPAK SO-8双封装

特性

AON2802的核心特性之一是其极低的导通电阻,这显著降低了导通损耗,提高了系统效率。该器件采用了AOS专有的技术,优化了晶圆结构,从而实现了更低的Rds(on)和更高的电流处理能力。此外,AON2802具有良好的热管理性能,得益于其高效的封装设计,能够快速将热量从芯片传导到外部环境,确保在高功率应用中的稳定运行。
  AON2802的另一个重要特性是其优异的开关性能。该MOSFET具有较低的输入电容(Ciss)和门极电荷(Qg),这有助于减少开关过程中的能量损耗,提高系统的整体响应速度。这对于高频开关应用尤为重要,如DC-DC转换器和同步整流器。
  此外,AON2802具备较高的可靠性和耐用性。其设计经过严格的测试和验证,能够在极端温度和高电流条件下保持稳定的性能。这种高可靠性使其非常适合用于汽车电子、工业自动化、通信设备等对元器件要求较高的应用场景。

应用

AON2802广泛应用于多个领域,特别是在需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,AON2802可以作为主开关器件,提供高效的能量转换。在电池管理系统中,它可以用于控制电池的充放电过程,确保电池组的安全运行。此外,AON2802还可用于负载开关、电机控制、电源适配器等应用。在汽车电子领域,AON2802可用于车载电源系统、电动助力转向系统(EPS)和车载充电器等。
  由于其出色的性能和可靠性,AON2802也被广泛应用于服务器电源、通信设备电源、工业自动化设备等高性能电源系统中。在这些应用中,AON2802不仅能够提供高效的电力转换,还能在高负载条件下保持稳定的工作状态,满足系统对电源管理的严格要求。

替代型号

Si7490DP, FDS4410A, IPB013N04NG, AO4407

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AON2802参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥1.47497卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 配置2 N-通道(双)
  • FET 功能逻辑电平门
  • 漏源电压(Vdss)30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 2A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)10nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)245pF @ 15V
  • 功率 - 最大值2.1W
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装6-DFN(2x2)