RF1119TR7 时间：2025/8/16 7:20:45 阅读：7

RF1119TR7 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的高性能射频（RF）晶体管，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器设计。该器件基于 GaAs（砷化镓）异质结双极晶体管（HBT）技术制造，具备高线性度、高效率和高输出功率的特性。RF1119TR7 采用紧凑的 SOT-89 封装形式，便于集成到各种射频电路中，适用于蜂窝通信、无线基础设施、Wi-Fi 和其他射频放大应用场景。

参数

类型：GaAs HBT射频功率晶体管
　　工作频率范围：DC 至 2.5 GHz
　　最大输出功率：28 dBm（典型值）
　　增益：16 dB（典型值）
　　效率：50%（典型值，PAE）
　　工作电压：+5 V
　　封装类型：SOT-89
　　输入/输出阻抗：50Ω（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF1119TR7 的核心优势在于其出色的线性度和高效率表现，使其成为多载波通信系统和高数据率无线应用的理想选择。该晶体管在 2 GHz 以下频率范围内具有优异的功率增益和效率表现，能够在较宽的频率范围内保持稳定的性能。此外，该器件的热稳定性和可靠性设计良好，适用于连续高功率工作的恶劣环境。其 SOT-89 封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，确保器件在高功率运行下的稳定性。
　　另一个显著特点是其内部匹配设计，使该晶体管可以直接与 50Ω 系统接口，减少了外围匹配元件的需求，简化了射频电路的设计和布局。这种集成化的匹配设计也有助于提高系统的整体可靠性和一致性。此外，RF1119TR7 还具有较低的失真和优异的互调特性，适合用于对线性度要求较高的通信系统，如 LTE、WCDMA 和 WiMAX 等。