时间：2025/9/9 23:32:34
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EMVY500GTR102MMN0S 是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的硅工艺制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适合用于高效率、高频率的电源设计。EMVY500GTR102MMN0S 通常封装在小型化的表面贴装封装中，便于在紧凑的PCB布局中使用，并提供良好的散热性能。
类型: N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）: 500V
漏极电流（ID）: 10A
导通电阻（RDS(on))：典型值为0.45Ω
栅极电压（VGS）: ±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型: TO-252（DPAK）
EMVY500GTR102MMN0S MOSFET具有多项优越的电气和热性能特性。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于多种高电压应用，如电源适配器、LED照明驱动器和工业电源系统。其次，低导通电阻（RDS(on)) 降低了导通损耗，提高了系统效率，这对于高功率密度的设计尤为重要。
此外，EMVY500GTR102MMN0S 采用TO-252（DPAK）封装，具有良好的散热性能，能够有效散发工作时产生的热量，从而提高器件的可靠性和使用寿命。该封装形式也便于自动贴装和回流焊工艺，提高了生产效率。
该器件还具有快速开关特性，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统的响应速度。EMVY500GTR102MMN0S 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），使其能够与多种驱动电路兼容，提高了设计的灵活性。
EMVY500GTR102MMN0S MOSFET常用于各种电源管理应用，包括AC/DC电源适配器、LED照明驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率转换电路。其高耐压、低导通电阻和高频开关特性也使其适用于DC/DC转换器、PFC（功率因数校正）电路和电机驱动系统。
IRF840, FQA10N50C, STP10NK50Z
