时间：2025/9/6 21:21:07
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3SK319YB-TL是一款由Toshiba（东芝）公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频、低功耗的电子设备中。这款晶体管适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备等应用。其采用SOT-23（SC-59）封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：12V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
存储温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23（SC-59）
3SK319YB-TL具备优异的高频性能，适合用于高频开关电路。其低功耗特性使其成为便携式电子产品和电池供电设备的理想选择。
此外，该器件具有较低的导通电阻（RDS(on)），在低电压应用中能有效减少功率损耗，提高系统效率。
该MOSFET的SOT-23封装设计，使得它在小型电路板上占用空间少，同时具有良好的热稳定性。
由于其栅极驱动电压范围较宽，因此兼容多种控制电路设计，便于集成在复杂的电子系统中。
该器件广泛应用于便携式电子设备、移动电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、信号开关、电池管理系统、小型家电以及通信设备中的电源管理模块。
此外，3SK319YB-TL也常用于低功耗逻辑电路、微处理器电源控制和各种低电压开关应用中，确保系统高效稳定运行。
2N7002, BSS138, 2N3904
