P10NK80ZFP 时间：2025/7/23 9:50:24 阅读：7

P10NK80ZFP是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高电压和高电流特性的电源管理系统和功率控制电路中。该器件采用先进的高压MESH OVERLAY技术，具有优异的开关性能和导通电阻特性，适用于诸如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理模块等多种高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.65Ω（在VGS=10V时）
　　最大功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220FP
　　技术：MESH OVERLAY技术
　　符合RoHS标准：是

特性

P10NK80ZFP的主要特性之一是其卓越的高压耐受能力，漏源电压（VDS）高达800V，使其在高电压应用中具有极高的可靠性。该MOSFET采用先进的MESH OVERLAY技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。其导通电阻在VGS=10V时仅为0.65Ω，这在同类产品中表现优异。
　　该器件的封装形式为TO-220FP，具有良好的热管理和散热性能，能够在高功率条件下稳定工作。P10NK80ZFP的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V，使其在不同的驱动电路中具有更高的灵活性。此外，该MOSFET具有快速开关能力，减少了开关损耗，从而提高了系统的整体效率。
　　由于其高可靠性和优异的电气性能，P10NK80ZFP在工业电源、家用电器、照明系统以及电动汽车充电系统中得到了广泛应用。该器件符合RoHS标准，确保了其在环保方面的合规性。

应用

P10NK80ZFP主要应用于高电压和高电流的功率管理系统，例如在DC-DC转换器中作为主开关元件，用于提高电源转换效率；在负载开关电路中用于控制高功率负载的通断；在电机驱动电路中作为功率开关以实现电机的高效控制。此外，它还广泛应用于LED照明系统、智能电表、电源适配器以及电动汽车充电设备等需要高可靠性和高效率的电子系统中。