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GA1210A122GXEAR31G 发布时间 时间:2025/7/9 13:25:06 查看 阅读:4

GA1210A122GXEAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率和可靠性。
  该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET,适合在高频应用中使用,同时具备良好的热性能和电气特性,使其成为众多工业和消费类电子产品的理想选择。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):18A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极电荷(Qg):7nC(典型值)
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:TO-247

特性

GA1210A122GXEAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速的开关速度,适合高频应用,降低开关损耗。
  3. 高度可靠的封装设计,确保在严苛环境下的长期稳定运行。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适用于各种极端条件。
  5. 出色的热性能,支持更高的功率密度。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 太阳能逆变器和储能系统。
  5. 汽车电子系统中的负载切换。
  6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品。

替代型号

GA1210A123HXEAT32G
  IRFZ44N
  FDP5800
  AUIRF9540

GA1210A122GXEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1200 pF
  • 容差±2%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-