时间：2025/8/8 16:49:05
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MB60VH658 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率密度和高效能的电源管理系统。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高耐压能力，适用于如DC-DC转换器、同步整流、电机驱动和电池管理系统等多种应用。MB60VH658采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，具有良好的热管理和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ（典型值）
功耗（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
MB60VH658 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为6.5mΩ，这有助于显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，使得在高电流应用中依然保持良好的性能表现。此外，MB60VH658具备较高的电流承载能力，其连续漏极电流可达100A，适用于大功率应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的栅极驱动电压，增强了其在不同控制电路中的兼容性。
MB60VH658 采用TO-252（DPAK）封装，这种封装形式支持表面贴装工艺，具有良好的散热性能，适用于紧凑型高功率密度设计。其最大功耗为300W，能够在高负载条件下稳定工作。此外，该器件具有较高的耐温能力，工作温度范围从-55°C到+175°C，确保其在恶劣环境下的可靠性。MB60VH658还具备快速开关特性，降低开关损耗，适用于高频电源转换器和同步整流电路。
MB60VH658 适用于多种高功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。在DC-DC转换器中，MB60VH658 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，其低导通电阻和高电流能力可有效提高转换效率并减少发热。在同步整流电路中，该器件的快速开关特性和低RDS(on)使其成为理想的替代二极管解决方案，进一步提升电源效率。
在电机驱动系统中，MB60VH658 可用于H桥电路，实现高效率的直流电机或步进电机控制。其高耐压和大电流能力确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外，该MOSFET也广泛应用于电池管理系统，如电动工具、储能系统和电动车中的充放电控制电路，提供可靠的功率开关功能。工业自动化和电源分配系统中，MB60VH658 可用于高边或低边开关，执行高效率的电源管理任务。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, NVTFS5C471NL, IRFZ44N
