类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：30V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：在2mA时为55至800（具体数值根据等级划分）

2N5018A 晶体管具有多项优异的电气特性，使其在射频和中频放大应用中表现出色。首先，其高增益带宽积（fT）达到100MHz，使得该晶体管能够在较高的频率下保持良好的增益性能，适用于射频放大器和振荡器的设计。其次，2N5018A 的电流增益（hFE）范围较宽，从55到800不等，这使得它可以根据具体应用需求选择不同等级的器件，提高电路的灵活性。
　　此外，该晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）为30V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源环境。最大集电极电流为100mA，使其适用于小功率放大和开关应用。其最大功耗为300mW，具备一定的散热能力，可以在较为苛刻的工作条件下稳定运行。
　　2N5018A 还具有较低的噪声系数，适合用于前置放大器等对噪声敏感的应用场景。其封装形式通常为TO-92，具有良好的热稳定性和机械强度。同时，该晶体管的开关速度较快，适用于数字开关电路中的信号控制。

2N5018A 主要应用于射频和中频放大电路，如收音机、电视机、无线通信设备中的信号放大器。由于其高频特性优异，常被用于射频前端放大器、中频放大器以及振荡器电路中。此外，由于其具备较高的电流增益和较快的开关速度，2N5018A 也广泛用于低噪声前置放大器、电压调节器、逻辑开关电路以及传感器信号调理电路中。
　　在音频放大器设计中，2N5018A 也可作为前置放大级使用，以提高音频信号的增益。同时，该晶体管还可用于数字电路中的电平转换和开关控制，适用于各种嵌入式系统和工业控制电路。在电源管理方面，2N5018A 可作为开关元件用于DC-DC转换器或LED驱动电路中，实现高效的能量传输和控制。

2N5018, BC547, 2N3904