2RI100F-060 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛用于高功率应用中,例如变频器、电机控制和工业电源系统。这款 IGBT 模块以其高效率、高可靠性和卓越的热性能而著称,适用于需要高电流和高电压能力的场合。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(VCES):600V
额定集电极电流(IC):100A
封装类型:双列直插式(Dual-in-line)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:有
栅极驱动电压:±20V
2RI100F-060 IGBT模块具备一系列先进的技术特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其最大集电极-发射极电压为600V,支持在中高压环境下稳定工作。额定集电极电流为100A,能够满足大电流需求,适合驱动高功率电机和负载。
该模块采用了先进的IGBT芯片技术,具有低导通压降和低开关损耗的特点,从而提高了整体能效并减少了热量产生。此外,模块内置短路保护功能,可以在异常工作条件下保护器件免受损坏,提高系统可靠性。
2RI100F-060 采用双列直插式(Dual-in-line)封装,便于安装和散热管理。其宽工作温度范围(-40°C 至 +150°C)确保了在各种环境条件下都能保持稳定的性能。模块的栅极驱动电压范围为±20V,兼容多种驱动电路设计,便于集成到不同的控制系统中。
此模块还具有优异的热传导性能,通过优化的散热结构设计,降低了热阻,提高了散热效率,从而延长了器件的使用寿命。
2RI100F-060 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用场景包括工业变频器、伺服电机驱动器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。在这些应用中,该IGBT模块能够高效地控制大电流和高电压,提供稳定的功率转换性能,同时具备良好的过载和短路保护能力,保障系统的安全运行。
SGW25N60LDS, FS100R12KT4, 2RI150F-060