制造商：Intel
　　系列：StrataFlash C3
　　存储容量：32 Mbit (4 MB)
　　存储结构：2 x 16 Mbit 存储阵列
　　工艺技术：MLC (Multi-Level Cell)
　　电压范围：2.7V 至 3.6V（VCC）
　　访问时间：70 ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-48
　　接口类型：并行（x16 或 x8 可配置）
　　编程电压：内部电荷泵生成
　　擦除方式：扇区擦除、块擦除、整片擦除
　　写入耐久性：100,000 次/扇区
　　数据保持时间：10 年（典型）
　　待机电流：≤ 100 μA
　　编程电流：约 20 mA
　　封装尺寸：12 mm x 20 mm（近似）

Intel 28F320C3TD70 的核心特性之一是其基于多级单元（MLC）技术的高密度存储架构，使得在相同物理尺寸下实现了比传统单级单元（SLC）更高的存储容量，同时有效降低了单位比特的存储成本。这种设计特别适合对成本敏感但又需要较大存储空间的嵌入式应用。该芯片支持灵活的组织方式，允许用户在 x8（字节模式）和 x16（字模式）之间切换，增强了与不同微处理器或微控制器总线架构的兼容性。
　　该器件内置智能写入状态机（Write State Machine, WSM），能够自动执行复杂的编程和擦除算法，包括脉冲宽度调节、验证和重试机制，从而显著降低主机CPU的干预需求，提升系统响应速度并简化软件开发。此外，28F320C3TD70 支持扇区级别的擦除功能，允许对存储器进行细粒度管理，有助于实现更高效的固件更新和数据存储策略。
　　在可靠性方面，该芯片具备强大的软件保护机制，可通过命令序列启用写保护功能，防止因系统异常或误操作导致的关键数据丢失。其宽工作温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于恶劣工业环境。同时，器件内部集成电荷泵电路，可在标准单电源供电下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部高压电源，简化了电源设计。
　　28F320C3TD70 还支持硬件复位功能，通过 RESET# 引脚可使器件恢复到只读状态，确保上电过程中的稳定性。其低待机电流特性（≤100μA）使其适用于电池供电或节能型系统。尽管该型号已不再作为主流推荐产品，但其成熟的工艺和稳定的性能仍使其在某些工业和通信设备中继续服役。

28F320C3TD70 广泛应用于需要可靠、非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的固件存储，如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）设备等，这些系统依赖于稳定的启动代码和配置参数保存。在通信领域，该芯片常用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中，用于存放引导程序（Bootloader）、操作系统映像或配置文件，确保设备在断电后仍能正常启动和运行。
　　在消费类电子产品中，28F320C3TD70 可用于数字电视、机顶盒、打印机、POS终端等设备，作为主控MCU的外部程序存储器。其70ns的快速访问时间能够满足实时系统对指令读取速度的要求，保障系统流畅运行。此外，在医疗设备、测试仪器和航空航天电子系统中，该芯片也因其高可靠性和长期供货稳定性而被采用。
　　由于其支持扇区擦除和重复写入的能力，该器件还可用于需要频繁更新数据的日志记录系统或参数存储模块。配合嵌入式文件系统，可用于构建小型数据存储方案。虽然当前新型串行闪存（如Quad SPI NOR Flash）在成本和引脚数上更具优势，但在需要高速并行访问的旧有架构系统中，28F320C3TD70 仍然是一个可行的选择。

S29GL032N90TF102
　　MT28EW032ADA-70:E
　　IS29LP320DN-70T