时间：2025/8/2 6:59:29
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SIA426DJ-T1-GE3 是 Vishay Siliconix 公司生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TSSOP 封装。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计，具备低导通电阻（Rds(on)）、高功率密度和优异的热性能，适用于各种需要高可靠性的电子设备。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：6.3A
导通电阻 Rds(on)：26mΩ @ Vgs=10V
导通电阻 Rds(on)：34mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Pd）：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSSOP
SIA426DJ-T1-GE3 具备多项优异特性，使其在电源管理应用中表现出色。
首先，该 MOSFET 的低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统效率。在 Vgs=10V 时 Rds(on) 仅为 26mΩ，在 Vgs=4.5V 时为 34mΩ，使其适用于多种驱动电压条件。
其次，该器件采用 TSSOP 封装，体积小巧，适用于空间受限的设计，同时具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性和寿命。
此外，SIA426DJ-T1-GE3 的最大漏极电流为 6.3A，漏源电压为 30V，能够满足多种中功率应用需求。其最大功率耗散为 2.4W，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等应用场景。
该器件还具有良好的栅极电荷特性，降低了开关损耗，提高了开关速度，适用于高频开关应用。同时，其栅极驱动电压范围宽泛，支持 4.5V 至 10V 驱动，兼容多种控制器和驱动 IC。
最后，SIA426DJ-T1-GE3 具备工业级工作温度范围（-55°C 至 150°C），适用于严苛环境下的电子设备，如工业控制、通信设备和汽车电子。
SIA426DJ-T1-GE3 广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。典型应用包括同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动、电源管理模块以及便携式电子产品中的高效电源设计。此外，该器件也可用于工业自动化控制、通信电源、LED 驱动电路以及各种需要高效率、高可靠性的功率开关应用。
Si4426BDY-T1-GE3, SIA426DK-T1-GE3
