时间：2025/6/4 20:15:00
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GA1210Y563KXJAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等场景。该芯片采用了先进的制造工艺，能够提供高效率和低导通电阻的特性，从而减少能量损耗并提高系统性能。
这款芯片属于沟道增强型 MOSFET，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费电子领域。
型号：GA1210Y563KXJAR31G
类型：功率 MOSFET
封装：TO-247
最大漏源电压(Vds)：1200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：31A
导通电阻(Rds(on))：0.06Ω
功耗(PD)：310W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
栅极电荷(Qg)：180nC
GA1210Y563KXJAR31G 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：高达 1200V 的漏源电压，使其能够在高压环境下稳定运行。
2. 大电流承载能力：连续漏极电流可达 31A，满足大功率应用需求。
3. 低导通电阻：仅 0.06Ω 的导通电阻有效减少了传导损耗，提升了整体效率。
4. 快速开关速度：低栅极电荷设计确保了快速的开关性能，降低了开关损耗。
5. 宽工作温度范围：从 -55℃ 到 +175℃ 的工作温度范围使其适应各种严苛环境。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保长时间使用的稳定性。
GA1210Y563KXJAR31G 可用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动：包括无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
3. 工业自动化设备：如伺服驱动器和逆变器。
4. 汽车电子：如电动车牵引逆变器和车载充电器。
5. 能量存储系统：用于电池管理系统中的充放电控制。
6. UPS 不间断电源：为关键设备提供稳定的备用电源支持。
GA1210Y563KXJAR31A, IRFP460, STW83N120K5
