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PBSS4032NX,115 发布时间 时间:2025/9/14 14:21:52 查看 阅读:26

PBSS4032NX,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用先进的 Trench MOS 工艺制造,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力。该器件适用于多种电源管理和功率开关应用,具有高效率和良好的热性能。PBSS4032NX,115 采用 DFN2020-6 封装形式,适用于表面贴装工艺,适合在空间受限的电路中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):3.2A
  导通电阻 Rds(on):最大 65mΩ @ Vgs=10V
  阈值电压 Vgs(th):1V ~ 2.5V
  功耗(Ptot):1.2W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DFN2020-6

特性

PBSS4032NX,115 采用先进的 Trench MOS 技术制造,具有非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。其最大导通电阻为 65mΩ,在 Vgs=10V 时可提供出色的电流传输能力,适用于高效率电源转换应用。
  该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压,具备良好的栅极稳定性,可适应多种驱动电路设计。其 1V 至 2.5V 的栅极阈值电压范围允许使用低电压控制器进行直接驱动,简化了驱动电路的设计。
  DFN2020-6 封装具有优良的热性能,能够有效散热,提高器件在高负载条件下的可靠性。此外,该封装体积小巧,适用于高密度 PCB 布局,适用于便携式电子设备、电池管理系统和电源管理模块等应用。
  该器件具有 1.2W 的最大功耗能力,可在较宽的工作温度范围内稳定工作(-55°C 至 +150°C),适用于工业级和汽车电子应用。其高可靠性和优异的热稳定性使其在恶劣环境中仍能保持稳定性能。

应用

PBSS4032NX,115 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合用于同步整流、功率开关和高侧/低侧开关电路。
  在便携式电子产品中,如智能手机、平板电脑和穿戴设备中,PBSS4032NX,115 可用于电池充电管理和电源路径控制。在电源适配器和 USB PD 充电系统中,它可作为高效率开关器件使用。
  在汽车电子系统中,该 MOSFET 可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统(IVI)以及电池管理系统(BMS)等应用场景。其封装形式支持自动化生产流程,适用于大批量制造应用。

替代型号

Si2302DS, TPS27001, FDS6675, AO3400A

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PBSS4032NX,115参数

  • 特色产品NXP - I2C Interface
  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)4.7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)340mV @ 270mA,5.4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 2A,2V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 频率 - 转换145MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装SOT-89-3
  • 包装带卷 (TR)