时间：2025/9/14 14:21:52
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PBSS4032NX,115 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的 Trench MOS 工艺制造，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力。该器件适用于多种电源管理和功率开关应用，具有高效率和良好的热性能。PBSS4032NX,115 采用 DFN2020-6 封装形式，适用于表面贴装工艺，适合在空间受限的电路中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：3.2A
导通电阻 Rds(on)：最大 65mΩ @ Vgs=10V
阈值电压 Vgs(th)：1V ~ 2.5V
功耗（Ptot）：1.2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN2020-6
PBSS4032NX,115 采用先进的 Trench MOS 技术制造，具有非常低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其最大导通电阻为 65mΩ，在 Vgs=10V 时可提供出色的电流传输能力，适用于高效率电源转换应用。
该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具备良好的栅极稳定性，可适应多种驱动电路设计。其 1V 至 2.5V 的栅极阈值电压范围允许使用低电压控制器进行直接驱动，简化了驱动电路的设计。
DFN2020-6 封装具有优良的热性能，能够有效散热，提高器件在高负载条件下的可靠性。此外，该封装体积小巧，适用于高密度 PCB 布局，适用于便携式电子设备、电池管理系统和电源管理模块等应用。
该器件具有 1.2W 的最大功耗能力，可在较宽的工作温度范围内稳定工作（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子应用。其高可靠性和优异的热稳定性使其在恶劣环境中仍能保持稳定性能。
PBSS4032NX,115 主要应用于电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备以及工业自动化控制系统。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合用于同步整流、功率开关和高侧/低侧开关电路。
在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和穿戴设备中，PBSS4032NX,115 可用于电池充电管理和电源路径控制。在电源适配器和 USB PD 充电系统中，它可作为高效率开关器件使用。
在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统（IVI）以及电池管理系统（BMS）等应用场景。其封装形式支持自动化生产流程，适用于大批量制造应用。
Si2302DS, TPS27001, FDS6675, AO3400A
