2SK3340-01 时间：2025/8/9 17:39:33 阅读：15

2SK3340-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种需要高效功率转换的电子设备中。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压、快速开关特性等优点，适用于高效率、高功率密度的设计需求。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：100V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：150A（Tc=25℃）
　　脉冲漏极电流(Idm)：600A
　　导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ（Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：300W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装类型：TO-247AD

特性

2SK3340-01 MOSFET具有多个显著的电气和物理特性，适用于高功率和高频应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件具有较高的耐压能力，漏极-源极电压（Vds）可达100V，适合用于中高功率电源转换系统。此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式栅极结构，提高了开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　该器件的封装形式为TO-247AD，具备良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以提高散热效率。其最大连续漏极电流可达150A，在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于大电流负载的应用场景，如电动工具、工业电机控制、电动车电源系统等。
　　2SK3340-01 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供更高的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，允许使用标准MOSFET驱动电路进行控制，提高了设计灵活性。

应用

2SK3340-01 主要应用于需要高效率功率转换的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、太阳能逆变器、电动车（EV）充电系统、服务器电源以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，由于其优异的导通特性和高频响应能力，它也适用于音频放大器的电源部分和高频感应加热系统等特殊应用领域。