时间：2025/9/2 18:05:10
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SC38RG014CE06 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET晶体管，主要用于高频率和高效率的电源转换应用，例如DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等场景。该器件采用了先进的Super Junction（超级结）技术，以实现较低的导通电阻和较高的开关性能。
类型：N沟道功率MOSFET
最大漏源电压(Vds)：650V
最大连续漏极电流(Id)：14A（在Tc=100℃时）
导通电阻(Rds(on))：最大0.185Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：典型值为25nC
最大工作温度：150℃
封装类型：TO-220
功率耗散(Pd)：最大125W
SC38RG014CE06 的核心优势在于其采用的Super Junction技术，这种技术使得MOSFET在保持高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了整体效率。此外，该器件具有较快的开关速度，有助于减小外围电路的尺寸并提升系统效率。
该MOSFET具备优异的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定的性能，适合高温环境下运行。其低栅极电荷(Qg)也使得驱动电路更加简单，降低了开关损耗。
封装方面，TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计，同时也便于安装和散热片的集成。
此外，该器件还具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态条件下提供更强的可靠性，减少因过压或过流导致的失效风险。
SC38RG014CE06 被广泛应用于多种电源管理系统和转换器设计中，包括但不限于：
? 高效率AC-DC和DC-DC电源转换器
? 同步整流电路
? 负载开关控制
? 电机驱动电路
? 电池管理系统
? 工业自动化设备电源模块
? 服务器和通信设备电源系统
STP16NK60Z, IPW60R017C7, FDPF6N60WT
