时间：2025/8/7 12:10:46
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2SJ555-E是一款P沟道结型场效应晶体管（JFET），广泛用于低噪声放大器和高频放大电路中。作为一款常用的晶体管型号，它具有良好的高频特性和低噪声系数，适用于射频（RF）和音频放大电路。该晶体管采用TO-92封装，适合在通用电子设备中使用。
类型：P沟道JFET
封装类型：TO-92
漏极电流（ID）：最大30mA
漏-源电压（VDS）：最大30V
栅-源电压（VGS）：最大±30V
功耗（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SJ555-E具有低噪声系数的特点，适用于需要高灵敏度的放大电路。它在高频工作条件下表现出良好的性能，能够稳定地工作在射频范围内。此外，该晶体管的功耗较低，使其在电池供电设备中也能发挥出色的性能。其TO-92封装形式便于安装和使用，在通用电子电路中应用广泛。
此外，该晶体管具有良好的线性特性，适用于模拟信号处理。在音频放大应用中，它可以提供高质量的音频输出，减少失真。同时，由于其结构特性，2SJ555-E在高输入阻抗电路中具有优异的表现，适合用于前级放大器。
2SJ555-E通常用于低噪声放大器、射频放大器和音频放大器等电路中。它也适用于电压控制放大器（VCA）、混频器和振荡器等高频电路。在通信设备、测试仪器和音频设备中均有广泛应用。例如，在无线电接收器中，该晶体管可用于射频前端放大器，提高接收灵敏度；在音频前置放大电路中，可减少信号失真并提高音质。
2SJ108, 2SJ113, JFET212
