电容值：22nF（223）
　　额定电压：100V
　　温度系数：NP0（C0G）
　　封装尺寸：114（约3.8mm x 3.8mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 100 sec（100V加压时）
　　介质损耗：≤0.15%
　　容差：±10%

RCH114NP-223KB 采用NP0（C0G）陶瓷介质，具有极低的温度系数和出色的电容稳定性，即使在极端温度变化下也能保持电容值不变。该电容器的介质损耗非常低，适合用于高精度模拟电路、射频（RF）电路和振荡器等对电容稳定性要求极高的场合。此外，其100V的额定电压使其适用于中高压电路环境，例如电源滤波、信号耦合和去耦应用。
　　这款电容器还具备良好的高频特性，能够在高频下保持较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而减少高频信号的损耗和噪声干扰。封装尺寸为114（约3.8mm x 3.8mm），适合用于高密度PCB布局，同时具备较强的机械强度，能够承受一定的机械应力，确保长期工作的可靠性。

RCH114NP-223KB 由于其出色的稳定性、低损耗和中高压能力，广泛应用于多个领域。在通信设备中，它常用于射频（RF）放大器、滤波器和混频器中的旁路和耦合电容。在工业控制电路中，该电容适用于高精度ADC/DAC电路的滤波和参考电压稳定。在电源管理系统中，可用于中高压滤波、去耦和能量存储。此外，该型号还适用于测试与测量设备、医疗电子设备以及汽车电子系统（如ECU、传感器模块）等对稳定性要求较高的场景。

C0805C223K1RACTU, CL21B223KBQNNNE, ECJ-104C223KB