时间：2025/4/28 14:00:27
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FA5613N-D1-TE1 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并降低功耗。此外，其封装形式经过优化，适用于高密度设计，并具备出色的热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：13A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：28nC
反向恢复时间：9ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263
FA5613N-D1-TE1 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，适合高频应用。
3. 高度可靠的封装设计，能够在恶劣环境下保持稳定运行。
4. 支持宽广的工作温度范围，适用于工业及汽车级应用。
5. 内置 ESD 保护功能，增强芯片的抗静电能力。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
该器件适用于多种电力电子领域，具体包括：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关。
2. 各类 DC-DC 转换器，例如降压或升压转换器。
3. 电动工具、家用电器以及工业设备中的电机驱动。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
5. LED 驱动器和其他高效能电源管理电路。
FA5613N-D1-TL1
IRFZ44N
FDP5501
