时间：2025/6/11 20:12:04
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SI9802DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。这款器件采用小型化的 SOT-23 封装，适合在空间受限的应用中使用。其低导通电阻和快速开关速度使得它成为便携式设备、电池供电系统以及高频开关电源中的理想选择。
该器件具有较高的能效表现，同时能够承受一定的浪涌电流，非常适合于负载开关、电机驱动以及信号切换等应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻：55mΩ
总栅极电荷：6nC
功耗：750mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
SI9802DY-T1-E3 的主要特性包括以下几点：
1. 超低导通电阻（Rds(on)），能够在高电流下保持较低的功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频电路设计，有助于减少电磁干扰。
3. 采用 SOT-23 封装，体积小且散热性能良好。
4. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
5. 支持宽范围的工作温度，适用于多种恶劣环境条件下的应用。
6. 具备出色的抗 ESD 性能，提升了产品可靠性。
SI9802DY-T1-E3 主要应用于以下几个领域：
1. 便携式电子设备中的负载开关，例如智能手机和平板电脑。
2. 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流功能。
3. 电池管理系统的充放电控制。
4. 小型电机驱动及信号隔离切换。
5. 工业自动化设备中的信号控制与保护。
6. 数据通信设备中的高效开关元件。
SI2302DS, BSS138, AO3400
