1SD536F2-CM1200HB 是一款由东芝(Toshiba)生产的双极型晶体管模块,主要用于高功率开关应用。该模块集成了两个晶体管,采用H型桥式配置,适用于电机控制、逆变器和电源转换系统等需要高效能和高可靠性的场合。这款器件的封装设计提供了良好的散热性能和电气隔离能力,以确保在高电流和高电压条件下稳定工作。
类型:双极型晶体管模块
配置:H桥(双通道)
最大集电极电流(Ic):1200A
最大集电极-发射极电压(Vce):600V
最大功耗(Ptot):400W
工作温度范围:-40°C至+150°C
存储温度范围:-40°C至+150°C
绝缘耐压:2500Vrms(1分钟)
封装形式:模块型,带散热片和绝缘基板
引脚数:7
重量:约1.2kg
1SD536F2-CM1200HB 模块采用了高功率双极型晶体管技术,具备出色的导通和开关性能。其H桥配置允许双向电流流动,非常适合用于直流电机控制、交流逆变器和功率调节系统。该模块内置了热保护功能,能够在过热情况下自动切断电流,提高系统可靠性。此外,模块的封装设计确保了良好的散热性能和电气隔离,以适应恶劣的工作环境。每个晶体管都具有高电流承载能力和低饱和压降,从而降低了功耗并提高了整体效率。这种模块还具有较高的短路耐受能力,适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。
1SD536F2-CM1200HB 模块广泛应用于各种高功率电子系统,包括工业电机驱动器、电动汽车的功率控制系统、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)以及焊接设备等。其H桥配置使其非常适合用于直流电机的正反转控制,以及交流逆变器中的脉宽调制(PWM)控制。在这些应用中,该模块能够提供高效的功率转换和可靠的系统运行。此外,该模块也常用于需要高电流和高电压能力的自动化设备和电力电子系统中。
1SD536F2-CM1200HB 的替代型号可能包括其他制造商的H桥双极型晶体管模块,例如IXYS的IXDN614PI和英飞凌(Infineon)的BSM120GB60DLC。选择替代型号时,应确保其电气参数和封装形式与原型号兼容,并符合具体应用的需求。