时间：2025/9/5 16:22:53
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LTL42KS5N是一种N沟道增强型功率MOSFET，常用于高功率和高频开关应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能，适用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：最大40V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：连续最大20A
导通电阻（Rds(on)）：约20mΩ（典型值）
封装形式：TO-263（表面贴装）或TO-220（通孔）
工作温度范围：-55°C至175°C
LTL42KS5N的主要特性包括其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该MOSFET采用先进的硅技术，具有良好的热稳定性和高可靠性。
此外，LTL42KS5N设计用于在高频开关条件下运行，适用于需要快速开关性能的应用，例如电源转换器和电机驱动器。
它的高电流容量和耐压能力使其适用于高功率负载的控制。该器件还具有较高的抗静电能力，能够在严苛的环境中稳定工作。
封装形式的选择使其适用于不同的PCB设计需求，无论是高密度表面贴装还是传统的通孔安装。
LTL42KS5N广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统和负载开关电路。它也常见于工业自动化设备、汽车电子系统和可再生能源系统中。
IRF540N, FDP55N50, FQP50N06
