US5J 是一款高性能的 CMOS 静电保护 (ESD) 器件,主要用于保护敏感的电子设备免受静电放电的损害。该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线和高频应用环境。
US5J 的设计采用了先进的半导体制造工艺,能够提供出色的瞬态抑制能力和可靠的保护性能。其紧凑的封装形式使得它在空间受限的应用中非常适用。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:8A
电容:0.4pF
响应时间:1ps
封装形式:SOD-323
US5J 具备以下显著特性:
1. 超低电容设计,适合高速数据传输线路保护。
2. 快速响应时间,可有效抑制瞬态过电压威胁。
3. 小型化封装,便于集成到紧凑型电路板设计中。
4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
5. 可靠性高,能够承受多次 ESD 冲击而不影响性能。
US5J 广泛应用于各种需要静电防护的场景,包括但不限于:
1. USB 接口线路保护。
2. HDMI、DisplayPort 等高速数据接口的 ESD 防护。
3. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的信号线保护。
4. 工业控制系统的通信端口防护。
5. 汽车电子系统中的数据总线保护。
PESD5V0R1B, SM712