制造商：Littelfuse
　　产品系列：HK1005
　　器件类型：气体放电管（GDT）
　　封装/外壳：1005（1.0mm x 0.5mm）
　　电极材料：多层陶瓷
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　直流击穿电压：180V 至 260V
　　标称交流击穿电压：150V AC
　　最小击穿电压：170V
　　最大击穿电压：270V
　　通流能力（8/20μs）：5kA（峰值）
　　绝缘电阻：≥1GΩ
　　电容值：≤1pF
　　响应时间：<1μs
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +125°C

HK10051N8ST的核心特性之一是其超小型1005封装，使其成为目前市面上最小尺寸的气体放电管之一，特别适合用于智能手机、可穿戴设备、物联网模块和其他高度集成的便携式电子产品中。由于其体积微小，能够在不增加PCB面积的前提下实现有效的过压保护，极大提升了设计灵活性。该器件采用先进的多层陶瓷共烧技术，确保了结构的机械强度和热稳定性，能够在高频和高温环境下保持性能一致性。其内部惰性气体密封工艺成熟，保证了长期使用的可靠性和寿命，避免因环境湿度或老化导致性能下降。
　　电气特性方面，HK10051N8ST具有较低且稳定的直流击穿电压范围（180V~260V），适用于低压信号线路的保护，如USB接口、音频线路、传感器信号线等。其电容值低于1pF，在高频信号传输路径中几乎不会引入寄生效应，因此不会影响信号完整性，尤其适合高速数据接口的保护应用。此外，该器件拥有高达5kA的8/20μs浪涌电流承受能力，能够有效应对IEC 61000-4-5标准规定的雷击浪涌测试，提供强大的外部瞬态防护能力。其响应时间小于1微秒，能够在电压突升的瞬间迅速导通，将能量泄放至地。
　　另一个显著优势是其极低的漏电流和高绝缘电阻（≥1GΩ），在正常工作状态下几乎不消耗系统功率，也不会对被保护电路造成干扰。这种特性使得HK10051N8ST非常适合用于电池供电设备中，有助于延长续航时间。同时，该器件具备良好的自恢复能力，在浪涌事件结束后能自动恢复到高阻态，无需更换或重置，降低了维护成本。整体而言，HK10051N8ST结合了微型化、高性能与高可靠性，是现代电子系统中理想的初级过压保护解决方案之一。

HK10051N8ST广泛应用于各类需要瞬态过电压保护的电子系统中，尤其是在空间受限但对可靠性要求较高的场合。典型应用场景包括便携式消费类电子产品中的USB端口、耳机插孔、充电接口等信号线路的ESD和浪涌保护；在通信设备中用于以太网接口、RS-232、RS-485等差分信号线的初级防护；也可用于智能家居设备、无线模块（如Wi-Fi、蓝牙、Zigbee）的天线和I/O引脚保护。由于其优异的高频特性和低电容，该器件非常适合用于高速数据传输路径中，避免传统TVS二极管可能带来的信号衰减问题。
　　在工业自动化领域，HK10051N8ST可用于PLC输入输出模块、传感器接口、编码器信号线等易受电磁干扰的节点，防止因电感负载切换或电源波动引发的电压尖峰损坏控制器。在汽车电子中，尽管其额定温度上限为+85°C，但在部分舱内非引擎区域的低功率电子模块（如车载信息娱乐系统的外部接口）中仍可使用，为CAN总线、LVDS显示屏接口等提供辅助过压保护。此外，该器件也常见于医疗电子设备中，用于保护患者连接的传感器接口，确保设备符合IEC 60601等安全标准。
　　由于其表面贴装形式和兼容回流焊工艺的设计，HK10051N8ST适用于自动化SMT生产线，便于大规模制造和组装。它通常作为多级保护架构中的第一级粗保护元件，与后级的TVS二极管或压敏电阻配合使用，形成“三级防护”体系：GDT负责泄放大能量浪涌，TVS钳位残余电压，实现全面而高效的电路保护策略。这种组合方式在ADSL调制解调器、光猫、路由器等电信终端设备中尤为常见。总之，HK10051N8ST凭借其微型化、高性能和通用性，已成为现代电子系统中不可或缺的基础保护元件。

Bourns 2038-18-SM-RPLF
　　TE Connectivity CG0610180TS
　　AVX HMK10051N8ST