时间：2025/9/2 6:42:15
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HY29F040AT-90R 是一款由Hynix Semiconductor（现为SK Hynix）生产的8位闪存存储器（Flash Memory）芯片，容量为512KB（4Mbit）。该芯片属于并行闪存存储器类别，具有快速访问时间和低功耗特性，适用于需要非易失性存储的应用场景，如嵌入式系统、工业控制设备和消费类电子产品。HY29F040AT-90R支持标准的并行接口，便于与各种微控制器和处理器连接。其封装形式通常为48引脚TSOP（Thin Small Outline Package），适合高密度PCB布局。
类型：Flash Memory
容量：4Mbit（512KB）
组织结构：8位（x8）
工作电压：2.7V至3.6V
访问时间：90ns
封装类型：48-TSOP
接口类型：并行接口（CE、OE、WE控制）
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
读取电流：典型值5mA（待机模式下电流低至10μA）
编程/擦除电压：内部产生，无需高压电源
擦除周期：可擦除整个芯片或按块擦除
编程方式：自动编程算法
存储器结构：1个512KB扇区
数据保持时间：10年以上
封装尺寸：约12mm x 20.8mm
HY29F040AT-90R 是一款高性能、低功耗的并行闪存芯片，适用于需要高可靠性和非易失性存储的嵌入式系统。其主要特性包括高速访问时间（90ns）和低功耗设计，使其在待机模式下功耗极低，非常适合电池供电设备。该芯片支持标准的并行接口，能够与多种微控制器和处理器兼容，简化了系统设计和集成。HY29F040AT-90R 的擦除和编程操作通过内部高压电路完成，无需外部高压电源，提高了使用的便利性。
该芯片支持块擦除和自动编程功能，提高了数据写入的效率和可靠性。其存储结构由一个512KB的扇区组成，支持多次擦写，适用于需要频繁更新数据的应用场景。此外，HY29F040AT-90R 具有良好的数据保持能力，能够在10年内保持数据完整性，确保长期存储的可靠性。
在封装方面，HY29F040AT-90R 采用48-TSOP封装，体积小巧，适合高密度PCB布局。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），能够在各种恶劣环境下稳定运行。
HY29F040AT-90R 通常用于需要非易失性存储的嵌入式系统，如工业控制设备、消费类电子产品、通信模块、存储卡控制器、固件存储和汽车电子系统。其高速访问时间和低功耗特性使其适用于需要频繁读写和长时间运行的应用场景。
AM29F040B-90RI, M29F040B-90N1, TC58FV400BFT, SST39SF040
