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PCDP10120G1_T0_00001 发布时间 时间:2025/8/14 14:43:59 查看 阅读:22

PCDP10120G1_T0_00001 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的高集成度、高性能的功率分立器件模块,主要用于工业电源转换、电机驱动、新能源等领域。该模块集成了多个功率MOSFET或IGBT器件,并配有先进的封装和散热技术,以确保在高功率应用中的稳定性和可靠性。

参数

类型:功率模块
  晶体管类型:IGBT 或 MOSFET(根据具体配置)
  最大集电极电流(Ic):120A
  最大集射电压(Vce):650V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:双列直插式(DIP)或表面贴装(SMD)
  绝缘等级:符合UL认证
  导通压降(Vce_sat):典型值2.1V(IGBT)
  导通电阻(Rds(on)):典型值35mΩ(MOSFET)

特性

PCDP10120G1_T0_00001 模块具有高电流承载能力和优异的热管理性能,适合在高温环境下运行。模块采用先进的芯片封装技术,确保了低导通损耗和开关损耗,适用于高频开关应用。其内部集成了多个功率器件,可以实现半桥或全桥拓扑结构,减少了外围电路的复杂度。此外,该模块具备良好的短路保护和过热保护能力,提升了系统的稳定性和安全性。
  该模块还具备优异的EMI(电磁干扰)抑制能力,采用了低寄生电感设计,有效减少了高频开关过程中产生的噪声。其封装结构也支持快速安装和高效散热,适用于紧凑型功率设计。此外,PCDP10120G1_T0_00001 还兼容多种驱动电路,便于工程师进行系统集成和优化设计。

应用

PCDP10120G1_T0_00001 主要应用于工业自动化设备、伺服驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车充电模块以及家电电机控制等场景。由于其高集成度和高可靠性,特别适用于需要高效能和高稳定性的中高功率变换系统。

替代型号

STGIPN10120, FSBB20CH60C, SKM100GB12T4ag, PCDP10120G1_T0_00002

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PCDP10120G1_T0_00001参数

  • 现有数量1,985现货
  • 价格1 : ¥103.19000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)10A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.7 V @ 10 A
  • 速度无恢复时间 > 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏100 μA @ 1200 V
  • 不同?Vr、F 时电容529pF @ 1V,1MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-2
  • 供应商器件封装TO-220AC
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 175°C