时间：2025/9/14 10:37:22
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PHKD13N03LT,518 是由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的TrenchMOS技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特性，适用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电机控制等多种功率应用。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：13A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：最大值为18mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
安装类型：表面贴装（SMD）
PHKD13N03LT,518 的核心优势在于其优异的导通性能和热稳定性。由于采用了先进的TrenchMOS技术，其Rds(on)非常低，从而显著降低了导通损耗，提高了整体效率。此外，该器件在高温下仍能保持稳定的性能，适用于高功率密度和紧凑型设计的应用场景。
该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，能够在突发负载或瞬态条件下提供可靠的保护。其栅极设计允许在宽范围的栅极驱动电压下工作，兼容标准逻辑电平驱动器，便于集成到各种控制电路中。
封装方面，TO-252（DPAK）是一种小型表面贴装封装，具备良好的热管理性能，适合自动化生产和高密度PCB布局。该封装还能有效散热，延长器件的使用寿命和稳定性。
PHKD13N03LT,518 还具备快速开关能力，能够适应高频开关电源和电机控制等对响应速度有较高要求的应用。其低输入电容和输出电容也降低了开关损耗，有助于提高系统整体能效。
PHKD13N03LT,518 主要用于以下应用场景：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动、LED照明驱动、工业自动化控制、消费电子产品中的功率控制等。其高效率和高可靠性的特点，使其在要求严苛的工业和汽车电子领域中也有广泛应用。
IPD13N03LA, STD13N03L, FDS4410A, AO4406, NVTFS5C428NL, BSC018N03LX
