容量：512Kbit
　　组织方式：64K x 8
　　电源电压：3.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-TSSOP
　　访问时间：55ns
　　读取电流（最大）：20mA
　　写入电流（最大）：20mA
　　待机电流（最大）：10mA
　　数据保存电压：1.2V（最低）

S3935KLQ 是一款高性能的 NVSRAM 芯片，其核心优势在于其非易失性数据保存能力。与传统的 SRAM 不同，S3935KLQ 在系统断电时能够自动将 SRAM 中的数据保存到非易失性存储单元中，无需外部电池或超级电容支持（取决于具体应用配置）。这种特性使其非常适合用于关键数据存储、工业控制、通信设备以及医疗仪器等需要在断电情况下保持数据完整性的系统。
　　S3935KLQ 采用 44 引脚 TSSOP 封装，节省空间并适合高密度 PCB 设计。其工作电压为 3.3V，兼容大多数现代嵌入式系统的电源设计。芯片内部集成了自动存储（Autostore）和电源故障检测电路，当检测到电源电压下降至阈值以下时，会自动将数据从 SRAM 存储到非易失性存储区，确保数据安全。
　　此外，S3935KLQ 支持无限次读写操作，不存在 Flash 或 EEPROM 的擦写次数限制，大大提升了系统的可靠性和使用寿命。其高速访问时间（55ns）也使得其性能接近标准 SRAM，适用于需要高速缓存和频繁数据更新的应用场景。

S3935KLQ 广泛应用于需要非易失性存储和高速读写的系统中，包括工业自动化控制、智能电表、网络通信设备、测试与测量仪器、医疗设备、航空航天系统以及数据采集系统等。例如，在工业控制系统中，它可以用于保存关键的运行参数和配置信息；在网络设备中，可作为缓存存储配置文件和日志数据；在医疗设备中，则用于存储患者数据和设备校准信息，确保即使在断电情况下也不会丢失重要数据。

FM25L256, nvSRAM芯片，容量为256Kbit，支持SPI接口，适用于低功耗应用；IS66WVH2M8BLL-100B，容量为2Mbit，高速SRAM，支持工业级温度范围。