MV14-10FLK 时间：2025/8/29 22:41:07 阅读：24

MV14-10FLK 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高功率密度和高效率的应用场景，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。MV14-10FLK 采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热性能，使其在高电流和高频率条件下依然能够保持稳定的工作状态。该器件封装为 TO-220，便于散热和安装，广泛应用于工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　连续漏极电流（ID）：14A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 0.095Ω（在 VGS=10V 时）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（PD）：32W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-220

特性

MV14-10FLK 的主要特性包括其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其 RDS(on) 最大值仅为 0.095Ω，在 VGS=10V 的条件下表现优异，使得该器件能够在高电流应用中保持较低的温升，提高可靠性。此外，该器件的漏源电压为 100V，漏极电流可达 14A，提供了良好的功率处理能力，适用于多种中高功率应用场景。
　　该 MOSFET 具有较高的热稳定性，其最大功耗为 32W，并采用 TO-220 封装，便于安装在散热片上，以确保在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。TO-220 封装还具备良好的机械强度和电气隔离性能，适合在工业和汽车电子环境中使用。
　　MV14-10FLK 还具有快速开关特性，能够支持高频操作，从而减小外部电路中电感和电容的尺寸，提高整体系统的功率密度。其栅极阈值电压范围为 2V 至 4V，兼容常见的驱动电路，便于设计和集成。此外，该器件具备较强的雪崩能量耐受能力，能够在负载突变或短路等异常情况下提供更高的稳定性和可靠性。

应用

MV14-10FLK 常用于多种功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路和电池管理系统等。在开关电源中，该器件可用于高边或低边开关，实现高效的能量转换；在 DC-DC 转换器中，MV14-10FLK 的低导通电阻有助于降低损耗，提高转换效率；在负载开关和电机控制应用中，其高电流和高耐压能力使其能够可靠地驱动大功率负载。
　　由于其良好的热性能和封装设计，MV14-10FLK 也广泛应用于工业自动化控制设备、通信电源模块、UPS（不间断电源）系统以及新能源汽车的电池管理系统中。在这些应用中，MV14-10FLK 能够提供稳定的性能，确保系统在高负载和复杂工作环境下保持良好的运行状态。