12SUR-36L是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅整流二极管阵列,专为高密度、高性能的电源管理和信号处理应用设计。该器件采用紧凑的SIP(单列直插式)封装,内部集成了多个独立的二极管元件,适用于需要高效能整流、反向电压保护、噪声抑制和逻辑电平转换等功能的电路系统。12SUR-36L具备优良的热稳定性和电气性能,广泛应用于工业控制、通信设备、消费类电子产品以及汽车电子等领域。其结构设计优化了散热路径,提高了长期运行的可靠性,并符合RoHS环保标准,适合无铅焊接工艺。该器件在高频开关电源中表现出色,能够有效降低功耗并提升系统效率。此外,由于其小型化封装特性,有助于节省PCB布局空间,特别适用于对尺寸敏感的设计需求。
类型:整流二极管阵列
配置:单列直插式(SIP)
封装形式:表面贴装型
峰值反向电压(VRRM):36V
平均整流电流(IO):1.2A
正向压降(VF):典型值0.85V @ 1A
反向漏电流(IR):最大值5μA @ 25°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
引脚数量:12引脚
安装方式:通孔或表面贴装兼容
热阻(RθJA):约50°C/W
反向恢复时间(trr):典型值4ns
12SUR-36L的核心特性之一是其高集成度与紧凑封装设计,内部包含多个独立可控的硅整流二极管单元,能够在有限的空间内实现多通道整流或保护功能。这种高度集成的结构显著减少了外部元器件的数量,简化了PCB布线复杂度,提升了系统的整体可靠性。该器件采用先进的半导体制造工艺,确保每个二极管单元具有一致的电气特性,从而在多路并行工作中保持均衡负载分配。
另一个关键优势在于其出色的电气性能表现。12SUR-36L具有较低的正向导通压降(VF),在1A工作电流下典型值仅为0.85V,这意味着在连续导通状态下能量损耗更低,有助于提高电源转换效率并减少发热问题。同时,其快速的反向恢复时间(trr)典型值为4ns,使其非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器等对响应速度要求较高的应用场景。这一特性有效降低了开关过程中的动态损耗,避免了因反向恢复引起的电压尖峰和电磁干扰(EMI)问题。
该器件还具备优异的热管理能力。得益于优化的封装材料和内部结构设计,12SUR-36L拥有良好的热传导性能,热阻(RθJA)约为50°C/W,能够在较高环境温度下稳定运行。其宽泛的工作结温范围(-55°C 至 +150°C)和存储温度范围(-65°C 至 +150°C)使其适用于严苛的工业和汽车级工作环境。此外,器件通过了多项国际安全与环保认证,符合RoHS指令要求,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色制造趋势。
在可靠性方面,12SUR-36L经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)和温度循环试验,确保在长期使用过程中保持稳定的性能表现。其低反向漏电流(最大5μA @ 25°C)保证了在截止状态下的高阻抗特性,防止不必要的电流泄漏导致系统误动作或能耗增加。综合来看,12SUR-36L是一款集高性能、高可靠性和高集成度于一体的整流二极管阵列产品,适用于多种复杂电子系统中的电源管理与信号调理任务。
12SUR-36L广泛应用于各类需要多通道整流、反向电压保护和信号整形的电子系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换模块、AC-DC适配器和电源分配单元,在这些系统中用于整流输出级或作为续流二极管以提高转换效率。其快速恢复特性也使其适用于高频逆变器和脉冲宽度调制(PWM)控制电路中,用于抑制感性负载产生的反电动势。
在工业自动化控制系统中,该器件可用于PLC输入/输出接口的瞬态电压抑制和极性保护,防止现场传感器或执行机构引入的浪涌电压损坏主控芯片。在通信设备中,如路由器、交换机和基站电源模块,12SUR-36L可作为电源轨上的隔离与保护元件,提升系统抗干扰能力和运行稳定性。
此外,该器件也适用于消费类电子产品,例如液晶电视、机顶盒、音响设备和智能家居控制器中的电源管理单元。其小型化封装有利于缩小整机体积,满足轻薄化设计趋势。在汽车电子领域,尽管需额外考虑AEC-Q101认证要求,但在非关键辅助系统如车载信息娱乐系统、充电接口保护电路中仍有一定应用潜力。总之,凡是需要高密度、低功耗、快速响应的二极管阵列解决方案的场合,12SUR-36L均是一个理想选择。
12SUR-36, VS-12SUR36L