型号：L4004D3
　　制造商：STMicroelectronics
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500 V
　　漏极电流（Id）：4 A（连续）
　　脉冲漏极电流（Idm）：16 A
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.8 Ω @ Vgs = 10 V
　　开启阈值电压（Vgs(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约520 pF @ Vds = 25 V
　　输出电容（Coss）：约100 pF
　　反向恢复时间（trr）：110 ns
　　最大功耗（Ptot）：75 W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

L4004D3具备多项关键特性，使其在中高压功率开关应用中表现出色。首先，其高达500V的漏源击穿电压（Vds）使得该器件适用于多种离线式开关电源设计，尤其是在通用输入电压范围（90–265V AC）下工作的反激式或正激式转换器中，能够提供足够的电压裕量以应对瞬态浪涌和反射电压。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），典型值为1.8Ω，在4A的工作电流下可显著降低导通损耗，提升整体能效，这对于追求高效率和低发热的设计至关重要。
　　该器件采用了优化的平面栅极结构，实现了良好的栅极电荷（Qg）与输出电荷（Qoss）平衡，有助于减少驱动损耗并提高开关速度。其输入电容约为520pF，配合合理的栅极驱动电路，可以实现快速的上升和下降时间，从而减小开关过程中的交越损耗。此外，L4004D3具有较短的反向恢复时间（trr=110ns），这在与体二极管相关的换流过程中尤为重要，可有效降低二次击穿风险，并减少电磁干扰（EMI）。
　　热性能方面，TO-220AB封装提供了优良的热传导路径，允许将芯片产生的热量迅速传递至散热器，确保长时间高负荷运行下的稳定性。器件的最大功耗可达75W（在壳温25°C时），结合适当的散热措施，可在严苛环境中持续工作。同时，L4004D3具备宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），展现出卓越的环境适应能力，适合工业级甚至部分汽车级应用场景。
　　安全与可靠性方面，该MOSFET具备较强的抗雪崩能力，能够在发生意外过压事件时吸收一定的能量而不致损坏。其栅源电压额定值为±30V，提供了对常见驱动电路波动的容忍度，避免因栅极过压导致的绝缘层击穿。综合这些特性，L4004D3是一款兼具高性能、高可靠性和良好成本效益的功率MOSFET解决方案。

L4004D3广泛应用于各类需要中等功率开关能力的电力电子系统中。最常见的用途是作为主开关管集成于开关模式电源（SMPS）中，例如用于电视机、显示器、打印机和其他家用电器中的AC-DC适配器与电源模块。其500V的耐压等级足以支持全球通用交流输入范围下的正常工作，并能承受整流后直流母线上的峰值电压。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，如升压（Boost）、降压（Buck）或反激式（Flyback）变换器中，L4004D3可用于控制能量传输周期，实现高效的电压调节功能。这类应用常见于LED驱动电源、电池充电系统以及工业传感器供电单元。
　　此外，该器件也适用于小型逆变器系统，比如UPS不间断电源、太阳能微逆变器或便携式电源设备，其中它承担着将直流电转换为交流电的核心开关角色。由于其具备较快的开关速度和较低的导通损耗，有助于提升逆变效率并减少热量积累。
　　在电机控制领域，L4004D3可用于驱动小功率直流电机或步进电机的H桥电路中，特别是在启停频繁且负载变化较大的场合下表现稳定。同时，它也被用于电磁阀、继电器驱动电路以及电子镇流器等工业控制装置中，提供可靠的功率切换能力。
　　得益于其坚固的结构设计和良好的温度适应性，L4004D3还可用于环境条件较为恶劣的工业自动化设备、楼宇控制系统以及户外照明系统中，满足长期稳定运行的需求。

STP4NK50ZFP
　　IRF840
　　FQP5N50C
　　KP303