时间：2025/8/14 15:38:22
阅读：12
PJA3428_R1_00001是一款由PanJit Semiconductor（强茂股份有限公司）生产的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高电流和高频率开关应用，广泛用于电源管理和DC-DC转换器等领域。其封装形式为DFN5x6，具有较低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A（在Tc=25℃）
功耗(Pd)：120W
导通电阻(Rds(on))：4.2mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
封装：DFN5x6
PJA3428_R1_00001具备出色的导通性能和快速开关特性，使其在高效率电源设计中表现出色。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，显著降低了导通电阻，并优化了开关损耗。其DFN5x6封装提供了良好的热管理性能，有助于在高电流工作条件下保持稳定的温度。此外，该MOSFET具备高耐用性和可靠性，适用于各种工业级应用。PJA3428_R1_00001的栅极驱动电压范围宽广，支持多种控制电路的兼容性，使其在复杂电源管理系统中具有很高的灵活性。
该MOSFET的低导通电阻不仅有助于减少导通损耗，还能降低工作时的温升，从而提高整体系统效率。同时，其快速开关能力减少了开关过程中的能量损耗，进一步优化了功率转换效率。此外，PJA3428_R1_00001在极端工作条件下仍能保持稳定的电气性能，确保系统在高负载或恶劣环境下正常运行。
PJA3428_R1_00001主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等高功率电子设备。其高电流承载能力和优异的热管理性能也使其成为高性能计算设备、服务器电源和工业自动化控制系统的理想选择。
SiR3428ADP-T1-GE3, FDS4428A, IPPB3428A
