SI3443DV是一款采用Fairchild先进的PowerTrench?工艺生产的2.5V指定P沟道MOSFET。它经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，同时保持低栅极电荷，以获得卓越的开关性能。它的设计目的是在非常小的占地面积内为无法实现较大封装的应用提供卓越的功耗。
超低导通电阻
P沟道MOSFET
表面安装A
提供磁带和卷轴
-额定2.5V
针脚数：6
漏源极电阻：0.054Ω
耗散功率：1.6 W
漏源极电压(Vds)：20 V
上升时间：19 ns
输入电容(Ciss)：640pF 10V(Vds)
额定功率(Max)：800 mW
下降时间：35 ns
工作温度(Max)：150℃
工作温度(Min)：-55℃
耗散功率(Max)：1600 mW
引脚数：6
封装：TSOT-23-6
RoHS标准：RoHS Compliant
含铅标准：Lead Free
产品生命周期：Active
包装方式：ape&Reel(TR)
制造应用：工业,电源管理
维库电子通，电子知识，一查百通！
已收录词条48011个
