如图（a）所示，PNP型三极管是N型半导体在中间，两块P型半导体在两侧，N型半导体和P型半导体交错排列形成三个区，分别称为发射区，基区和集电区。从三个区引出的引脚分别称为发射极，基极和集电极，用符号e、b、c来表示。在P型和N型半导体的交界面形成两个PN结，在基极与集电极之间的PN结称为集电结，在基极与发射极之间的PN结称为发射结。

　　可以把PNP型三极管看成是两个二极管，使用万用表进行测量和判断。PNP型三极管的测量如图一所示。将正表笔接三极管的某一管脚，负表笔分别接另外两个管脚，测量得到两个阻值。如果测得的两个阻值均较小，且为lkΩ，则正表笔所接管脚即为PNP型三极管的基极。若测得的两阻值一大一小或都大，可将正表笔另接一管脚再试，直到两阻值均较小为止。

　　PNP型三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。

　　1、截止状态：当三极管的工作电流为零或很小时，即I_B=0时，I_C和I_E也为零或很小，三极管处于截止状态。

　　2、放大状态：在放大状态下，I_C=βI_B，其中β(放大倍数)的大小是基本不变的（放大区的特征）。有一个基极电流就有一个与之相对应的集电极电流。

　　3、饮和状态：在饮和状态下，当基极电流增大时，集电极电流不再增大许多，当基极电流进一步增大时，集电极电流几乎不再增大。

　　1.电流放大倍数/β和β

　　2.集-基极反向截止电流I_CBO

　　3. 集-射极反向截止电流I_CEO

　　4.集电极电流I_CM

　　5.集-射极反向击穿电压

　　6. 集电极允许功耗P_CM