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FDS86140
阅读:109时间:2024-08-08 16:41:37

这款N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench?工艺生产,该工艺针对rDS(导通)、开关性能和坚固性进行了优化。

特性

VGS=10V,ID=11.2A时,最大rDS(on)=9.8mΩ
  VGS=6V,ID=9A时,最大rDS(on)=16mΩ
  高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
  广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
  100%UIL测试
  符合RoHS标准

应用

DC/DC转换器和离线UPS
  分布式电源架构和VRM
  24V和48V系统的主开关
  高压同步整流器

技术参数

针脚数:8
  漏源极电阻:0.0081Ω
  耗散功率:2.5 W
  阈值电压:2.7 V
  输入电容:1228 pF
  漏源极电压(Vds):100 V
  上升时间:5.6 ns
  输入电容(Ciss):1940pF 50V(Vds)
  额定功率(Max):2.5 W
  下降时间:4.8 ns
  工作温度(Max):150℃
  工作温度(Min):-55℃
  耗散功率(Max):5 W

封装参数

安装方式:Surface Mount
  引脚数:8
  封装:SOIC-8

外形尺寸

长度:4 mm
  宽度:5 mm
  高度:1.5 mm
  封装:SOIC-8

符合标准

RoHS标准:RoHS Compliant
  含铅标准:Lead Free

其他

产品生命周期:Active
  包装方式:Tape&Reel(TR)
  制造应用:电源管理,工业

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