这款N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench?工艺生产,该工艺针对rDS(导通)、开关性能和坚固性进行了优化。
VGS=10V,ID=11.2A时,最大rDS(on)=9.8mΩ
VGS=6V,ID=9A时,最大rDS(on)=16mΩ
高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
广泛使用的表面贴装封装具有高功率和电流处理能力
100%UIL测试
符合RoHS标准
DC/DC转换器和离线UPS
分布式电源架构和VRM
24V和48V系统的主开关
高压同步整流器
针脚数:8
漏源极电阻:0.0081Ω
耗散功率:2.5 W
阈值电压:2.7 V
输入电容:1228 pF
漏源极电压(Vds):100 V
上升时间:5.6 ns
输入电容(Ciss):1940pF 50V(Vds)
额定功率(Max):2.5 W
下降时间:4.8 ns
工作温度(Max):150℃
工作温度(Min):-55℃
耗散功率(Max):5 W
安装方式:Surface Mount
引脚数:8
封装:SOIC-8
长度:4 mm
宽度:5 mm
高度:1.5 mm
封装:SOIC-8
RoHS标准:RoHS Compliant
含铅标准:Lead Free
产品生命周期:Active
包装方式:Tape&Reel(TR)
制造应用:电源管理,工业
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