光电三极管有两种基本结构，NPN结构与PNP结构。

　　用N型硅材料为衬底制作的 NPN结构，称为 3DU型；

　　用P型硅材料为衬底制作的称为PNP结构，称为3CU型。

　　1）伏安特性

　　光电三极管在偏置电压为零时，无论光照度有多强，集电极电流都为零。偏置电压要保证光电三极管的发射结处于正向偏置，而集电结处于反向偏置。随着偏置电压的增高伏安特性曲线趋于平坦。

　　光电三极管的伏安特性曲线向上偏斜，间距增大。这是因为光电三极管除具有光电灵敏度外，还具有电流增益β，并且，β值随光电流的增大而增大。

　　2）时间响应（频率特性）

　　光电三极管的时间响应常与PN结的结构及偏置电路等参数有关。

　　光电三极管的时间响应由以下四部分组成：

　　① 光生载流子对发射结电容Cbe和集电结电容Cbc的充放电时间；② 光生载流子渡越基区所需要的时间；

　　③ 光生载流子被收集到集电极的时间；

　　④ 输出电路的等效负载电阻RL与等效电容Cce所构成的RC时间；

　　总时间常数为上述四项和。比光电二极管的时间响应长。

　　3）温度特性

　　硅光电二极管和硅光电三极管的暗电流Id和光电流IL均随温度而变化，由于硅光电三极管具有电流放大功能，所以硅光电三极管的暗电流Id和亮电流IL受温度的影响要比硅光电二极管大得多。

　　4）光谱响应

　　光电二极管与光电三极管具有相同的光谱响应。

　　它的响应范围为0.4~1.1μm，峰值波长为0.85μm。

　　由外观上, 可以区分为罐封闭型与树脂封入型, 而各型又可分别分为附有透镜之型式 及单纯附有窗口之型式.就半导体晶方 言之,材料有硅(Si)与锗(Ge),大部份为硅.在晶方构造方面,可分为普通晶体管型与达林顿 晶体管型.再从用途加以分类时,可以分为以交换动作为目的之光敏三极管与需要直线性之光 敏三极管,但光敏三极管的主流为交换组件,需要直线性时,通常使用光二极管.

　　在实际选用光敏三极管时,应注意按参数要求选择管型.如要求灵敏度高,可选用达林顿型光 敏三极管;如要求响应时间快,对温度敏感性小,就不选用光敏三极管而选用光敏二极管.探 测暗光一定要选择暗电流小的管子,同时可考虑有基极引出线的光敏三极管,通过偏置取得合 适的工作点,提高光电流的放大系数.例如,探测10-3勒克斯的弱光,光敏三极管的暗电流必 须小于0.1nA.

　　1．亮通光电控制电路

　　当有光线照射于光电器件上时，使继电器有足够的电流而动作，这种电路称为亮通光电控制电路，也叫明通控制电路。最简单的亮通电路如图所示。

　　2．暗通光电控制电路

　　如果光电继电器不受光照时能使继电器动作，而受光照时继电器释放，则称它为暗通控制电路。

　　3. 印刷机纸张监控器

　　印刷机纸张监控器可以自动监测每次印刷的纸张是否为一张，如果不是一张则发出报警讯响，停止印刷，待整理好纸张后，再开始工作。