选用半导体放电管应注意以下几点：

　　1、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的工作电压。如在POTS应用中，振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，DC电压(150V)和信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。

　　2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的瞬间峰值电压。

　　3、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。

　　4、瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。

　　5、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。

　　主要特点：

　　1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌吸收器。

　　2.适合流动和回流焊接。

　　3.采用微隙方式，浪涌响应特性优异。

　　4.静电容量低，可用于高频电路。

　　5.高绝缘阻抗特性。

　　6.可进行编带包装。

　　7.符合IEC61000-4-2规格。