集成电路（IC）中采用的电容器基本上有两种：MOS电容器和p-n结电容器。
    MOS电容器的一个极板是衬底上的重掺杂区[如发射区]，另一个极板是顶层的金属膜，中间可用热生长的SiO2膜作为介质层；MOS电容器的电容量与介质层的介电常数成正比，为了增大电容量，希望采用较大介电常数的介质材料[SiO2、Si3N4和Ta2O5的介电常数分别为3.9、8和22]；MOS电容器的电容量基本上与电压无关，并且其串联电阻小，又几乎不存在漏电流。
    p-n结电容器一般采用n+-p型式，并且需要加反向偏压（以防pn正偏而漏电），则其电容量与电压有关；而且电容量通常不能制作得很大，其串联电阻也要比MOS电容器的大得多。

    电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。
    电容与电容器不同。电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。
    通用公式C=Q/U平行板电容器专用公式：板间电场强度E=U/d ，电容器电容决定式 C=εS/4πkd
    随着电子信息技术的日新月异，数码电子产品的更新换代速度越来越快，以平板电视（LCD和PDP）、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长，带动了电容器产业增长。