外光电效应器件通常指光敏电真空器件，主要用于紫外、红外和近红外等波段。具有内增益的外光电效应器件包括光电敏倍增管、像增强器等光敏电真空器件，它们具有极高灵敏度，能将极微弱的光信号转换成电信号，可进行单光子检测，其灵敏度比内电光效应的半导体器件高几个量级。

    内光电效应分为光导效应和光伏效应。光导效应中，半导体吸收足够能量的光子后，把其中的一些电子或空穴从原来不导电的束缚状态激活到能导电的自由状态，导致半导体电导率增加、电路中电阻下降。光伏效应中，光生电荷在半导体内产生跨越结的P-N小势差。产生的光电压通过光电器件放大并可直接进行测量。根据光导效应和光伏效应制成的器件分别称为半导体光导探测器和光伏探测器。

    常用的紫外线探测器主要有三种类型：

    一、光电真空探测器，如光电倍增管、像增强器和EBCCD等；

    二、光电导探测器，如GaN基和AlGaN基电光导探测器等；

    三、光伏探测器，如Si，SiC,GaN P-N结和肖特基势垒光伏探测器以及CCD。

    紫外线探测器对紫外辐射具有高响应。其中，日盲紫外探测器的光谱响应区集中在中紫外（波长小于290nm）,而对紫外区以外的可见光及红外辐射响应较低；光盲紫外探测器长波响应限在紫外与可见光交界处。