HIT太阳能电池是采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT(Heterojunction with intrinsic Thinlayer)结构就是在P型氢化非晶硅和n型氢化非晶硅与n型硅衬底之间增加一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改变了PN结的性能。因而使转换效率达到20.7%，开路电压达到719 mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT太阳能电池按单位面积计算的发电量保持着水准。HIT具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等特点，是一种低价高效电池。HIT的转化效率越高，意味着它更加具有可与传统的硅晶太阳能电池相匹敌的优势。

　　低温制备：成本优势

　　发射极很薄：低吸收

　　宽带隙发射极：低吸收，高Voc

　　高Voc：高转换效率

　　低温度系数（转换效率对温度不敏感）：在温度高地区使用

　　高耐辐射性能：可应用在宇宙空间中

　　1.硅片清洗制绒

　　2.正面用PECVD制 备本征非晶硅薄膜 和P型非晶硅薄膜

　　3.背面用PECVD制备 本征非晶硅薄膜和N 型非晶硅薄膜

　　4.在两面用溅射法 沉积透明导电氧化 物薄膜

　　5.丝网印刷制备电 极

　　1 非晶硅太阳电池的研究，现在主要着重于改善非晶 硅膜本身性质，以减少缺陷密度。严格控制a-Si/cSi界面质量，不断降低缺陷态密度。

　　2 优化光陷，降低反射率。

　　3 提高透明导电膜的电导率，透射率。

　　4 降低金属栅线的接触电阻。