类型：P沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±8V
　　连续漏极电流(ID)：-1.9A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-4.8A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：85mΩ @ VGS = -1.8V
　　阈值电压(Vth)：-0.85V ~ -1.4V
　　输入电容(Ciss)：275pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：50pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：250pF @ VDS=10V
　　开启时间(t_on)：约10ns（典型值）
　　关断时间(t_off)：约25ns（典型值）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23（SC-70）

ZXMS6005N8Q-13采用先进的TrenchFET工艺技术，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体效率并减少功率损耗。其最大RDS(on)在-4.5V的栅极驱动下仅为45mΩ，在-2.5V时为55mΩ，即便在更低的-1.8V驱动条件下也能保持85mΩ的低阻特性，这使得它能够在低压逻辑信号直接驱动的应用中表现出色，比如由1.8V或2.5V电源供电的微控制器GPIO直接控制。该器件的阈值电压范围为-0.85V至-1.4V，确保了在不同工艺偏差下的可靠开启，同时避免因过早导通而导致的误操作。由于其较小的输入电容（Ciss=275pF）和输出电容（Coss=250pF），该MOSFET在高频开关应用中展现出快速的响应速度和较低的驱动功耗，适合用于DC-DC转换器、同步整流以及高速负载切换等场合。
　　此外，ZXMS6005N8Q-13的SOT-23封装不仅体积小巧（仅2.1mm x 1.3mm），还具备良好的散热性能，配合PCB上的适当铜箔布局可有效传导热量，延长器件寿命。该器件的工作结温可达+150°C，支持严苛环境下的长期运行。其符合AEC-Q101标准，意味着经过严格的应力测试验证，适用于车载信息娱乐系统、车身电子模块等对可靠性要求较高的汽车应用。所有材料均符合RoHS指令，不含铅和有害物质，满足现代绿色电子产品的环保需求。综合来看，该器件在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，特别适合高密度集成设计中的功率控制任务。

ZXMS6005N8Q-13广泛应用于各类低电压、小电流的电源管理场景中。常见用途包括便携式电子设备中的电源开关控制，如智能手机和平板电脑中的LCD背光开关、摄像头模块供电控制、USB接口电源隔离等。由于其具备低导通电阻和逻辑电平兼容特性，常被用作高端或低端开关在DC-DC降压变换器中，尤其是在轻载条件下追求高效率的设计中表现优异。此外，该器件也可作为电池供电系统的反向极性保护开关，防止电池错误插入导致的损坏。在热插拔电路和负载切换应用中，ZXMS6005N8Q-13可通过软启动机制限制浪涌电流，提高系统稳定性。其高速开关能力也使其适用于信号路由或多路复用电源路径选择。在工业传感器、医疗监测设备和物联网终端节点中，该MOSFET可用于精确控制各个子系统的上电时序，实现节能待机模式。得益于其通过AEC-Q101认证，该器件还可用于汽车电子系统中的辅助电源管理，例如车窗控制、座椅调节、灯光控制模块等，提供可靠的功率切换功能。总之，凡是需要小型化、高效能且易于驱动的P沟道MOSFET的场合，ZXMS6005N8Q-13都是一个极具竞争力的选择。

DMG2305UX-7
　　SI2305DDS-T1-E3
　　FDC6308P
　　MAX4403ESA+T
　　BSS84LT1G