TF218THC-4-B-TL是一种专为高频应用设计的射频功率晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺,适用于无线通信、雷达系统以及其他需要高效率和高增益的应用场景。它具有出色的线性度和稳定性,在高频段表现出色,能够满足现代通信系统对晶体管使用了增强型封装技术,确保在恶劣环境下的可靠运行,并支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和组装。
最大集电极功耗:50W
集电极-发射极击穿电压:70V
最高工作频率:2.2GHz
电流增益带宽积:15GHz
特征频率(fT):3.5GHz
封装形式:SOT-227
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
1. 高输出功率和高效率,特别适合于高频段的大信号放大。
2. 出色的热稳定性和机械可靠性,能够在极端环境下保持性能。
3. 低噪声系数,有助于提高系统的整体灵敏度。
4. 支持表面贴装技术,简化生产流程并降低制造成本。
5. 内部匹配网络优化,使得外部匹配电路设计更加简单。
6. 宽泛的工作温度范围,适应各种户外和工业应用场景。
1. 无线基站中的射频功率放大器。
2. 航空航天及国防领域的雷达系统。
3. 医疗设备中的高频能量源。
4. 工业加热设备的射频电源。
5. 测试与测量仪器中的信号发生器和放大器。
6. 业余无线电通信中的高性能发射机模块。
TF218THC-4-A-TL, TF218THC-5-B-TL