S-LMBT4401WT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的NPN双极性晶体管(BJT),采用小型SOT-23封装。这款晶体管设计用于通用开关和放大应用,具有良好的性能和可靠性。其最大集电极电流为100mA,适用于低功率电子设备中的信号处理和控制功能。
晶体管类型:NPN BJT
最大集电极电流(IC):100mA
最大集电极-发射极电压(VCEO):40V
最大基极电流(IB):5mA
最大功耗(PD):300mW
增益带宽积(fT):100MHz
电流增益(hFE):在IC=2mA时,hFE=110(最小)至800(最大),根据不同等级分类
封装类型:SOT-23
S-LMBT4401WT1G 晶体管具有多种关键特性,使其在通用电子电路中表现出色。
首先,该晶体管的电流增益(hFE)范围较宽,从110到800,允许设计人员根据应用需求选择合适的增益等级,从而优化电路性能。这使得它在信号放大和开关应用中都具有很高的灵活性。
其次,该器件的最大集电极电流为100mA,能够在低功率条件下提供足够的驱动能力,适用于各种便携式电子产品和数字控制电路。
此外,S-LMBT4401WT1G 采用SOT-23封装,体积小巧,便于在空间受限的PCB布局中使用。这种封装形式还提供了良好的热性能,确保在正常工作条件下稳定运行。
该晶体管的最大集电极-发射极电压为40V,具备较高的电压耐受能力,适用于中等电压范围的电路设计,例如逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制等。
另外,S-LMBT4401WT1G 的增益带宽积为100MHz,具备较好的高频响应能力,可在高速开关和射频前端应用中发挥作用,适合用于低频至中频信号放大器的设计。
最后,这款晶体管具有较高的可靠性和稳定性,符合工业标准,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子和工业控制等领域。
S-LMBT4401WT1G 晶体管广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中,它常用于音频放大器、逻辑电平转换、LED驱动和传感器信号调理等电路。例如,在便携式音频设备中,该晶体管可用于前置放大器电路,提供良好的信号增益和低噪声性能。
在数字电路中,S-LMBT4401WT1G 可用作开关元件,用于控制负载的通断,如驱动小型继电器、蜂鸣器或指示灯。由于其快速开关特性和良好的电流增益,它非常适合用于MCU(微控制器单元)的外围电路,实现GPIO(通用输入输出)扩展和控制功能。
在工业自动化系统中,该晶体管可应用于传感器信号放大和隔离电路,确保输入信号的稳定性和可靠性。此外,它还可用于电机控制、电源管理和电池充电电路中,提供有效的电流控制和保护功能。
在汽车电子系统中,S-LMBT4401WT1G 可用于车载音频系统、车身控制模块(BCM)以及车载传感器接口电路,满足汽车环境对电子元件的高可靠性和宽温度范围要求。
此外,该晶体管还可用于通信设备中的射频前端模块、低噪声放大器和混频器电路,提供稳定的信号处理能力。
LMBT4401LT1G, MMBT4401, BC847, 2N3904