时间：2025/9/1 12:27:05
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H9HCNNNCPMMLHR-NMO 是一款由SK海力士（SK hynix）生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，专为移动设备和高性能计算应用设计。它具备高带宽、低功耗和紧凑封装等优点，广泛应用于智能手机、平板电脑、嵌入式系统等领域。
类型: LPDDR4 SDRAM
容量: 8GB
电压: 1.1V / 1.8V
封装: 228-ball BGA
工作温度: -40°C 至 +85°C
数据速率: 4266 Mbps
位宽: x64
时钟频率: 2133 MHz
H9HCNNNCPMMLHR-NMO 作为一款LPDDR4内存芯片，具备多项先进特性。其一，该芯片采用低功耗设计，支持多种节能模式（如深度掉电模式、自刷新模式等），有效延长移动设备的电池续航时间。
其二，H9HCNNNCPMMLHR-NMO 提供高达4266 Mbps的数据传输速率，显著提升系统运行效率和图形处理能力，满足高性能计算和多任务处理需求。
此外，该芯片采用228-ball BGA封装技术，具有优异的散热性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局和复杂环境下的运行。
在可靠性方面，该芯片通过严格的工业级测试，支持宽温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种工作条件下都能稳定运行。
H9HCNNNCPMMLHR-NMO 主要应用于需要高性能与低功耗内存解决方案的设备，包括高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、嵌入式系统以及汽车电子系统（如车载信息娱乐系统、ADAS等）。此外，该芯片也可用于高性能计算模块、工业自动化设备和边缘计算设备，为各类智能终端提供强大的内存支持。
H9HKNNNCRPMNAR-NME; H9HCNNNCRPMNAR-NME; H9HKNNNCPMMLHR-NMO
