晶体管类型：NPN 型
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SC-59（SOT-25）
　　增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100MHz（最小）

A1257WV-S-6P 具有优异的高频响应能力，过渡频率（fT）高达 100MHz，非常适合用于高频放大电路。其 NPN 结构提供了良好的电流增益，hFE 值的范围为 110 到 800，具体取决于器件的等级。该晶体管具有较低的饱和压降，有助于提高电路的效率并减少功耗。
　　此外，A1257WV-S-6P 采用 SC-59（SOT-25）封装，尺寸小巧，适合高密度 PCB 设计。其表面贴装封装形式支持自动贴片工艺，提高了生产效率。晶体管的热稳定性良好，能够在较宽的温度范围内稳定工作（-55°C ~ 150°C），适用于各种工业环境。
　　该器件的可靠性高，具有较长的使用寿命，并且在多种应用中表现稳定，尤其是在开关电路和低功率放大电路中表现优异。此外，其低噪声特性也使其在音频放大电路中具有一定应用价值。

A1257WV-S-6P 主要应用于需要高频响应和中低功率放大的电子电路中。典型应用包括射频（RF）放大器、前置放大器、信号开关电路、逻辑电平转换器、驱动 LED 或继电器的控制电路、消费类电子产品中的信号处理电路等。
　　在通信设备中，该晶体管可用于调制解调器、无线发射模块和接收前端的信号放大。在工业控制系统中，它常用于传感器信号放大、继电器驱动和数字控制电路。
　　由于其封装小巧，A1257WV-S-6P 也广泛应用于便携式设备、遥控器、智能家电和电源管理电路中。同时，其优良的高频特性也使其适用于测试设备、示波器输入缓冲器和低噪声放大电路。

2N3904, BC847, MMBT3904, 2SA1257