时间：2025/5/29 1:42:35
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ZXMN7A11KTC是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道MOSFET功率晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件专为高效率、高可靠性应用设计，适用于开关电源、电机驱动、负载切换和DC-DC转换器等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为节能型解决方案的理想选择。
该器件的最大额定电压为100V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备出色的热稳定性和电气性能。其优化的封装设计确保了良好的散热性能，有助于提升整体系统效率。
最大漏源电压(Vds)：100V
连续漏电流(Id)：8.5A
导通电阻(Rds(on))：9mΩ
栅极电荷(Qg)：17nC
总耗散功率(Ptot)：22W
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
ZXMN7A11KTC具有非常低的导通电阻，仅为9mΩ，这显著降低了传导损耗，从而提高了系统效率。
此外，它具备快速的开关速度，栅极电荷仅为17nC，可以有效减少开关损耗。这种组合使得该MOSFET非常适合高频开关应用。
在可靠性方面，该器件能够在高达175℃的结温下运行，并且具有较强的抗雪崩能力和鲁棒性。这些特点使其在恶劣环境下的表现依然稳定可靠。
封装方面，TO-263-3设计提供了一个紧凑而高效的安装方案，同时具备良好的电气连接和散热能力。
ZXMN7A11KTC广泛应用于各种工业和：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或升压/降压开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。
6. LED驱动器中的调光和稳压控制。
其高效能和稳健性使其成为需要高性能功率管理的系统的理想选择。
ZXMN7A08FTA, IRF840, FQP18N10
