MA0402XR202K500 是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型,其封装形式为 TO-252(DPAK),具备良好的散热性能和机械稳定性,非常适合用于紧凑型设计。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:38A
导通电阻:2mΩ
栅极电荷:47nC
开关时间:ton=11ns, toff=18ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
MA0402XR202K500 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可减少传导损耗并提高效率。
2. 高速开关能力,支持高频操作以满足现代电力电子设备的需求。
3. 良好的热稳定性和鲁棒性,确保在极端条件下仍能可靠运行。
4. 小型化封装设计,节省 PCB 空间,同时保持优秀的散热性能。
5. 符合 RoHS 标准,环保且适合全球市场应用。
该芯片适用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器,特别是在汽车电子和工业自动化领域。
3. 电机驱动电路,如无刷直流电机控制。
4. 电池管理系统(BMS),用作负载开关或保护元件。
5. 各类功率转换装置,例如太阳能逆变器和不间断电源(UPS)。