KTC3879S-O-RTK/P 时间：2025/9/12 21:12:03 阅读：7

KTC3879S-O-RTK/P 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器和负载开关等应用中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电子产品中。其封装形式为 TO-252（DPAK），便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏极电流（ID）：80A
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤4.5mΩ（在 VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

KTC3879S-O-RTK/P 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高整体效率。此外，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在相同的芯片面积下能够实现更高的电流承载能力。
　　其次，该 MOSFET 具有较高的热稳定性，TO-252 封装形式具备良好的散热性能，能够有效降低工作温度，从而提升器件的可靠性和使用寿命。该器件还具备较高的栅极阈值电压稳定性，确保在不同工作条件下仍能保持良好的开关特性。
　　此外，KTC3879S-O-RTK/P 的设计支持快速开关操作，减少了开关损耗，适用于高频开关电源应用。其±20V 的最大栅极电压允许使用标准的栅极驱动器，简化了电路设计。
　　在短路和过载条件下，该器件也具备一定的耐受能力，有助于提升系统在异常情况下的稳定性。

应用

KTC3879S-O-RTK/P 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及各种电源管理系统中。由于其高电流能力和低导通电阻，非常适合用于笔记本电脑、服务器、通信设备以及工业控制设备中的电源模块设计。
　　此外，该 MOSFET 还常用于电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）以及光伏逆变器等需要高效功率控制的场合。在这些应用中，KTC3879S-O-RTK/P 能够提供出色的效率和热管理性能，帮助设计人员实现紧凑且高效的电源解决方案。
　　该器件也适用于电机驱动器和功率放大器等需要快速开关和高可靠性的应用中，其稳定性和高效性能够满足复杂环境下的运行需求。