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ZXMN7A11GTA 发布时间 时间:2025/7/1 10:22:15 查看 阅读:5

ZXMN7A11GTA 是一款由英飞凌(Infineon)推出的 N 沃特功率晶体管(NPN Transistor),专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的封装技术,具有较低的饱和电压和较高的增益,适用于各种功率转换电路、开关电源以及音频放大器等领域。
  该晶体管的主要特点是其出色的开关性能和高电流承载能力,能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。同时,它还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  连续集电极电流:11A
  直流电流增益(hFE):最小值 125
  集电极-发射极饱和电压:最大值 1.4V
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  总功耗:160W
  过渡频率:10MHz

特性

ZXMN7A11GTA 具有以下主要特性:
  1. 高电流承载能力,支持高达 11A 的连续集电极电流。
  2. 较低的饱和电压(最大 1.4V),有助于降低功耗并提高效率。
  3. 较高的直流电流增益(hFE 最小值为 125),可实现更精确的控制。
  4. 高频特性,其过渡频率为 10MHz,适合高频开关应用。
  5. 宽工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),确保在恶劣环境下的可靠运行。
  6. 小型封装设计,节省空间且便于安装。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

ZXMN7A11GTA 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的开关元件。
  2. 直流-直流转换器中的功率级元件。
  3. 各种工业控制设备中的功率放大器。
  4. 音频放大器中的输出级元件。
  5. 电机驱动电路中的开关元件。
  6. 电池充电器和 LED 驱动器中的功率管理元件。
  7. 电信设备中的信号放大和切换元件。

替代型号

ZXMN7A11FTA, ZXMN7A11HFA

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ZXMN7A11GTA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)70V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C130 毫欧 @ 4.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds298pF @ 40V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZXMN7A11GTR