KTC2804 时间：2025/12/28 14:30:55 阅读：15

KTC2804是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动等电路中。这款MOSFET由韩国Korea Electronics（KEC）公司制造，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性等优点。KTC2804采用TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装工艺，便于在高密度PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.8A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约28mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

KTC2804具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现优异。首先，其低导通电阻（RDS(ON)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的导通电阻在VGS=10V时约为28mΩ，适用于高效率的电源转换应用。
　　其次，KTC2804的最大漏极电流可达4.8A，漏源电压可承受高达60V，使其适用于中等功率的DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。同时，其栅源电压范围为±20V，提供了较宽的驱动电压容限，提高了使用的灵活性。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和高功率耗散能力（30W），能够在较高的工作温度下保持稳定运行。TO-252封装形式不仅便于表面贴装，还能有效散热，提升器件的可靠性。
　　最后，KTC2804的开关速度快，适合高频工作环境，有助于减小外部滤波元件的尺寸，提高整体系统的紧凑性。

应用

KTC2804主要用于各种电源管理和功率控制电路中。例如，在DC-DC降压或升压转换器中作为主开关器件，提高能量转换效率；在同步整流器中作为高效整流元件，替代传统二极管以减少损耗；在负载开关电路中用于控制电源的通断，保护系统免受过流或短路损坏。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动、LED驱动、电池充电器以及工业自动化控制系统中的功率开关应用。由于其优异的热性能和高频响应，KTC2804也可用于音频放大器中的功率级电路，提供低失真输出。
　　在汽车电子系统中，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器中，KTC2804也表现出良好的适应性和稳定性，满足车载环境对可靠性和效率的严格要求。